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電子技術(shù)論壇

第一章 MOS晶體管原理與特性

§1.1 MOS晶體管一般介紹

一、MOS場(chǎng)效應管晶體管的結構及工作原理

二、MOS晶體管的四種類(lèi)型

三、MOS場(chǎng)效晶體管的特點(diǎn)



§1.2 MOS 晶體管的物理基礎

一、理想MOS系統在外場(chǎng)作用下的硅表面

二、表面勢及空間電荷區的電荷

三、MOS電容

四、實(shí)際MOS系統的硅表面

五、MOS器件的閾值電壓



§1.3 MOS晶體管的輸出特性

一、 MOS晶體管輸出的特性的定性討論

二、MOS晶體管電流-電壓特性方程


§1.4 MOS晶體管的主要參數

一、直流參數

二、低頻小信號參數

三、MOS晶體管的最高頻率



§1.5 MOS晶體管的最高頻率

一、導電因子隨溫度的變化

二、閾值電壓溫度的變化


§1.6 MOS晶體管圖形設計舉例


第二章 MOS倒相器和門(mén)電路

§2.1 電阻負載MOS倒相器

一、工作原理

二、負載線(xiàn)與工作點(diǎn)

三、不同負載對倒相器性能的影響



§2.2 E/E MOS倒相器

一、工作原理

二、靜態(tài)特性分析

三、瞬態(tài)響應

四、MOS倒相器設計舉例


§2.3 E/DMOS倒相器

一、工作原理

二、靜態(tài)分析

三、瞬態(tài)分析



§2.4 CMOS倒相器

一、CMOS倒相器原理

二、直流傳輸特性和噪聲容限

三、瞬態(tài)響應

四、功耗討論


§2.5 MOS門(mén)電路與傳輸門(mén)

一、單溝道MOS門(mén)電路

二、CMOS門(mén)電路

三、MOS傳輸門(mén)



第三章 觸發(fā)器和其它邏輯部件

§3.1 MOS觸發(fā)器

一、R-S觸發(fā)器

二、J-K觸發(fā)器

三、D觸發(fā)器



§3.2 MOS加法器

一、MOS半加器

二、MOS全加器


§3.3 MOS譯碼器

一、三變量譯碼器

二、八段譯碼器


§3.4 MOS移位寄存器

一、靜態(tài)移位寄存器

二、動(dòng)態(tài)移位寄存器


第四章 大規模集成電路

§4.1 MOS存貯器

一、隨機存取存貯器(RAM)

二、只讀存貯器(ROM)


§4.2 電荷耦合器件(CCD)

一、CCD結構及工作原理

二、CCD基本參數及結構改進(jìn)

三、CCD應用概述



第五章 MOS集成電路設計與布圖

§5.1 PMOS集成電路版圖設計

一、PMOS電路器件設計

二、版圖設計


§5.2 CMOS集成電路設計

一、CMOS電路器件設計

二、CMOS版圖設計概要

三、CMOS閾值電壓的設計



§5.3 超大規模集成電路設計的基本原理簡(jiǎn)介

一、概述

二、按比例縮小設計原理


第六章 MOS工藝

§6.1 MOS常規工藝

一、PMOS工藝

二、NMOS工藝


§6.2 硅柵工藝

一、主要優(yōu)點(diǎn)

二、P溝道硅柵工藝

三、等平面硅柵N溝MOS工藝



§6.3 離子注入技術(shù)在MOS工藝中的應用

一、離子注入法調整MOS器件的VT

二、離子注入實(shí)現柵自對準


§6.4 雙層柵工藝

一、MNOS工藝

二、MAOS工藝


§6.5 CMOS工藝

一、基本CMOS工藝敘述

二、離子注入法制造CMOS電路

三、SOS技術(shù)制造CMOS電路



§6.6 E/D MOS工藝

一、離子注入法制造E/DMOS

二、Sio2-AI2O3雙層柵E/DMOS

三、雙擴散法制造E/DMOS



§6.7 VMOS工藝

一、結構與特點(diǎn)

二、VMOS的主要工藝過(guò)程


§6.8 生產(chǎn)中電路參數的監測方法